● 三星：六月底量产DDR3内存芯片

三星电子（Samsung Electronics）宣布，旗下的21款DDR3内存芯片和模组已经通过了英特尔（Intel）的认证，和英特尔的PC芯片组兼容，这是该内存芯片走向商业发布的最后一道程序。

三星计划在6月底之前开始DDR3芯片的量产，07年下半年启动销售业务。在本周举行的微软WinHEC大会上，该公司还展出了8GB的DDR3内存模组。

“三星DDR3内存芯片和模组在英特尔桌面平台上的出色性能预示着DDR3将成为2007年重要的桌面技术。”三星半导体内存市场部副总裁Kevin Lee说。

● 海力士：07年底采用66nm工艺

在5月1日时，海力士半导体（Hynix Semiconductor）就宣布该公司的DDR3内存芯片和模组通过了英特尔验证。海力士计划在今年第三季度量产基于80nm工艺的1Gb DDR3芯片，2007年底制程将过渡到66nm。

“采用小型封装（Small Form-factor Package）海力士1Gb DDR3芯片可以有效减少生产商的成本，使高密度内存模组成为可能。”海力士DRAM开发部门副总裁Kih Joong Sik博士说。

● 尔必达：70nm 1GB DDR3 1600即将投产

5月14日，日系DRAM厂商尔必达（Elpida Memory）的DDR3也通过了英特尔G33平台的认证，芯片型号包括：

● 美光：08年初2Gb DDR3出击

美国爱达荷州（Idaho）当地时间5月14日，美光（Micron Technology）也宣布其1Gb DDR3内存成功地通过英特尔桌面平台认证。预计到08年年初，美光2Gb DDR3芯片也将投入使用。

“美光在DRAM技术方面的努力使我们走在了高密度内存方案的行业领先地位，很高兴我们的DDR3内存技术在英特尔桌面平台上运行正常。”美光内存群组副总裁Brian Shirley说。