全球最大的DRAM半导体芯片制造商之一的韩国HYnix最新宣布，该公司出品的DDR3内存芯片产品已经通过intel相关DDR3内存产品资格认证。其实早在今年Intel在中国举办的IDF技术峰会上，我们就看到了Hynix的DDR3产品。

Hynix半导体最新推出来的DDR3内存芯片容量为1G bit，采用80纳米制程工艺生产，这一工艺技术生产出来的芯片可以用来制造1GB，2GB的DDR3内存模组产品。新内存芯片可以设定工作频率在800MHz，时序设定可以在CL5 5-5,或者CL6 6-6，频率设定到1066MHz的时候，时序设定就在CL7 7-7，工作电压都设定在1.5v的标准数值界限上。

到目前为止，Hynix半导体还是唯一通过Intel产品认证的DDR3内存芯片供应厂商，并且目前在Intel官方网站相关认证页面也可以看到Hynix的认证名称。

相比当前流行的DDR2内存模组，DDR3拥有更高的性能和更低的功耗表现，工作电压低至1.5v，采用相比DDR2 4bit预存取效率更高的8bit预存取技术，同时内嵌ODT片内终结电阻模块，虽然CL时序设定参数高达7，但是相比DDR2同频率内存模组，DDR3提升的借助预技术和其他更新技术特性，因此在效能表现的综合测试表现上要快过DDR2不少。